箱式电炉,箱式烧结炉,箱式马弗炉,箱式实验炉,高温箱式电阻炉,箱式加热炉,箱式退火炉,箱式真空气氛炉洛阳研博炉业有限公司

硅碳棒是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，按一定料比加工制坯，經(jīng)2200℃高溫硅化再結晶燒結而制成的棒狀、管狀非金屬高溫電熱元件。氧化性氣氛中正常使用溫度可達1450℃，連續(xù)使用可達2000小時。
硅碳棒使用溫度高，具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、升溫快、壽命長、高溫變形小、安裝維修方便等特點，且有良好的化學穩(wěn)定性。與自動化電控系統(tǒng)配套，可得到精確的恒定溫度，又可根據(jù)生產(chǎn)工藝的需要按曲線自動調(diào)溫。使用硅碳棒加熱既方便，又安全可靠。成為隧道窯、輥道窯、玻璃窯爐、真空爐、馬弗爐、冶煉爐以及各類加熱設備的電加熱元件。

物理性質(zhì)

元件質(zhì)地：硬而脆，耐急冷急熱，高溫下不易變形，其它物理性能如下：
導熱系數(shù)：20大卡/米·小時·度
線膨脹系數(shù)：5×10-6(m/℃)

化學性質(zhì)

硅碳棒有良好的化學穩(wěn)定性，抗酸能力強。在高溫條件下堿性物質(zhì)對其有侵蝕作用。
硅碳棒元件在1000℃以上長期使用能與氧氣和水蒸氣發(fā)生如下作用：
①Sic+2O2→Sio2+CO2②Sic+4H2O=Sio2+4H2+CO2
致使元件中SiO2含量逐漸增多，電阻隨之緩慢增加，為之老化。如水蒸氣過多，會促進SiC氧化，由②式反應產(chǎn)生的H2與空氣中的O2結合H2O再反應產(chǎn)生惡性循環(huán)。降低元件壽命。氫氣(H2)能使元件機械強度降低。氮氣(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化1350℃以上與SiC發(fā)生反應，使SiC分解氯氣(Cl2)能使Sic完全分解。
注意事項
1、硅碳棒質(zhì)地硬而脆，受到劇烈震動和撞擊容易斷裂。因此運輸時要格外小心，搬運時要輕拿輕放。
2、硅碳棒發(fā)熱部的長度應該等于爐膛的寬度。如果發(fā)熱部伸入爐墻內(nèi)，容易燒損爐墻。
3、硅碳棒冷端部的長度應該等于爐墻厚度加上冷端伸出爐墻的長度。一般冷端部伸出長度為50～150mm，以便冷卻冷端部及連接卡具。
4、穿硅碳棒的爐子的內(nèi)徑應是冷端部外徑的1.4～1.6倍，爐孔過小或孔內(nèi)填充物塞得過緊，高溫時會阻礙硅碳棒自由伸縮而導致斷棒。安裝時，應該使硅碳棒能夠自由轉(zhuǎn)動360度。
5、硅碳棒與被加熱物及爐墻的距離應大于或等于發(fā)熱部直徑的3倍。硅碳棒與硅碳棒之間的中心距應不小于其發(fā)熱部直徑的4倍。
6、硅碳棒冷端部與主電路用鋁辮或鋁箔連接。冷端部的夾具要卡緊。
7、新建爐或長時間不使用的電爐在使用前要進行烘爐，應采用舊棒或其它熱源烘爐。
8、硅碳棒存放時要防止受潮。因為受潮后容易使冷端部鋁層分解、脫落，導致冷端部與卡具接觸電阻增大，而且硅碳棒通電后容易崩裂。
9、硅碳棒在使用前要進行配阻。先阻值相同或接近的硅碳棒連接在一起。
10、為硅碳棒配備調(diào)壓裝置。送電初期電壓為其正常工作電壓的一半，穩(wěn)定一段時間以后再逐漸提高電壓。這樣硅碳棒就不會因為急劇升溫而導致斷裂。
11、硅碳棒連續(xù)使用壽命長；間斷使用壽命短。
12、硅碳棒使用時要選擇合理的表面負荷密度和使用溫度。使用溫度應不大于1400℃；在有害氣體環(huán)境中使用更要防止硅碳棒與有害氣體發(fā)生化學反應。
13、更換硅碳棒時，應選用和爐內(nèi)運行的硅碳棒的電阻相接近的硅碳棒，必要時更換整爐硅碳棒，這樣有利于提高硅碳棒的使用壽命，卸不來的硅碳棒，如果電阻值合適，還可以在電爐運行中后期換上使用。
14、防止硅碳棒濺上熔融金屬，濺上熔融金屬容易導致斷棒。
15、防止堿、堿土金屬和堿性氧化物腐蝕硅碳棒。
16、經(jīng)常觀察電流表、電壓表及溫度表的讀數(shù)是否正常；冷端部夾具是否松運、氧化發(fā)黑或打火；硅碳棒是否斷裂；硅碳棒發(fā)熱部紅熱是否均勻。